Sb吸附在GaAs（110）（1×1）—Sb（1ML）表面上的电子态特性

采用紧束缚的ｓｐ＾３ｓ模型本电子态，用散射理论的格林函数方法研究了Ｓｂ吸附在ＧａＳＡｓ（１１０）表面上的电子特性，计算结果表明：在－１２ｅＶ－＋２ｅＶ的能区内有９个表面态存在，对于这样的金属／半导体系统仍有带隙存在，其带隙宽度为０．４ｅＶ左右；体系的性质表现为半导体的性质，而不表现出金属的性质。