| 用化学气相沉积(CVD)法制备硫化锌(ZnS)体块材料中晶体缺陷和生长工艺的研究 |
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| 引用本文： | 闫泽武,王和明,蔡以超,杨耀源,东艳苹,范志达.用化学气相沉积(CVD)法制备硫化锌(ZnS)体块材料中晶体缺陷和生长工艺的研究[J].人工晶体学报,2002,31(2):111-113. |
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| 作者姓名： | 闫泽武 王和明 蔡以超 杨耀源 东艳苹 范志达 |
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| 作者单位： | 中非人工晶体研究院 |
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| 摘 要： | 本文报道了用化学气相沉积(CVD)法制备高质量红外光学体块材料硫化锌(ZnS)的制备工艺,研究了晶体缺陷对其光学性能的影响.XRD,XEM及IR表明,采用优化的沉积工艺和热等静压后处理,减少晶体中杂质、微孔、六方结构ZnS及Zn-H键的形成,使生长的CVD ZnS具有高的红外透过率,提高了材料的光学品质.
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| 关 键 词： | 化学气相沉积法 硫化锌 缺陷 热等静压 红外透过率 |
| 文章编号： | 1000-985X(2002)02-0111-03 |
| 修稿时间： | 2002年2月10日 |
Study on Growth Technology and Crystal Defects in ZnS Bulk Crystal Prepared by CVD Method |
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