| 一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计 |
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| 引用本文： | 陈碧,罗岚,周帅林. 一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计[J]. 电子器件, 2004, 27(1): 79-82 |
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| 作者姓名： | 陈碧 罗岚 周帅林 |
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| 作者单位： | 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210018;东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210018;东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210018 |
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| 摘 要： | 阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。该电路采用Chartered0.25 μm N阱CMOS工艺实现。基于HSPICE的仿真结果表明:当温度在-25℃到85℃之间变化时该电路输出电压的温度系数为12.10~(-6)/℃、。在3.3 V电源电压下的功耗为3.8 mW,属于低温漂、低功耗的基准电压源。
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| 关 键 词： | 带隙参考电压源 温度补偿 电源抑制比 |
| 文章编号： | 1005-9490(2004)01-0079-04 |
Design of a CMOS Band-Gap Voltage Reference with Low Drift of Temperature |
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| CHEN Bi,LUO Lan,ZHOU Shuai-lin. Design of a CMOS Band-Gap Voltage Reference with Low Drift of Temperature[J]. Journal of Electron Devices, 2004, 27(1): 79-82 |
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| Authors: | CHEN Bi LUO Lan ZHOU Shuai-lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Band-gap voltage reference Temperature coefficient Power supply rejection ratio |
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