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| 最近物理学综述评论文献题录 | |
| 引用本文： | 李国栋.最近物理学综述评论文献题录[J].物理,1987(9). |
| 作者姓名： | 李国栋 |
| 摘 要： | 87-250.Ⅲ-V族化合物半导体在Si基片上的异质外 延.(梅野正义等).应用物理日],55(1986),No. 8,791-794.参23.87-251.三元硫属黄铁矿型半导体的性质和应用.(野 村重孝等).应用物理日],55(1986),No.8,795- 799.参 25.87-252.用激光再结晶法生成SOI(半导体-氧化物-绝 缘体).(井上靖朗等).应用物理日],55(1986), No. 8 800-804.参25.87-253.激光感生的Ⅲ-V族化合物半导体的侵蚀. (高井斡夫等).应用物理日],55(1986),No.8,805 -810.参30.87-254.碱金属吸附层.(■原宏等).应用物理日], 55(1986),No,9,850-862.参40.B7-255.固体表面散射… |
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