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| 静电纺丝技术制备TiO2@SiO2亚微米同轴电缆与表征 | |
| 作者姓名： | 张双虎 董相廷 徐淑芝 王进贤 |
| 作者单位： | (长春理工大学化学与环境工程学院 长春 130022) |
| 摘 要： | 用静电纺丝技术成功制备出大量的TiO2＠SiO2亚微米同轴电缆. 用TGA-DTA, XRD, SEM, TEM, EDS, FTIR分析技术对样品结构和组成进行了系统的表征. 结果表明, 得到的产物为TiO2＠SiO2亚微米级同轴电缆, 以无定型SiO2为壳层, 晶态TiO2为芯层, 电缆平均直径450 nm, 壳层厚度90 nm, 电缆长度＞300 μm, 同时在样品中发现个别纤维呈现管状结构, 对其形成机理进行了讨论. |
| 关 键 词： | 静电纺丝 亚微米电缆 同轴电缆 二氧化钛 二氧化硅 |
| 收稿时间： | 2007-04-23 |
| 修稿时间： | 2007-07-02 |
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