AlyGa1—yAs/AlxGa1—xAs量子阱激光器材料的光致荧光谱 |
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引用本文: | 程文芹,蔡丽红.AlyGa1—yAs/AlxGa1—xAs量子阱激光器材料的光致荧光谱[J].物理学报,1996,45(2):304-305. |
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作者姓名: | 程文芹 蔡丽红 |
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作者单位: | 中国科学院物理研究所 北京100080
(程文芹,蔡丽红,谢小刚,王文新,胡强),中国科学院物理研究所 北京100080(周钧铭) |
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摘 要: | 测量了AlyGa1-yAs/AlxGa1-x量子阱激光材料的光致荧光谱,发现在室温连续激光器材料的光致荧光谱中有两上峰,而不能激射的材料中则只有一个很宽的峰,将高能峰归属于准费密能级电子的跃迁。
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关 键 词: | 量子阱 激光器材料 光致荧光谱 |
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