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Na在Si(111)表面(3×1)有序吸附结构的光电子能谱研究
引用本文:张训生,范朝阳,隋华,鲍世宁,徐亚伯,徐世红,潘海斌,徐彭寿. Na在Si(111)表面(3×1)有序吸附结构的光电子能谱研究[J]. 物理学报, 1996, 45(7): 1244-1248
作者姓名:张训生  范朝阳  隋华  鲍世宁  徐亚伯  徐世红  潘海斌  徐彭寿
作者单位:浙江大学物理系硅材料国家重点实验室,杭州310027;浙江大学物理系硅材料国家重点实验室,杭州310027;浙江大学物理系硅材料国家重点实验室,杭州310027;浙江大学物理系硅材料国家重点实验室,杭州310027;浙江大学物理系硅材料国家重点实验室,杭州310027;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029
基金项目:国家自然科学基金;浙江省自然科学基金资助的课题
摘    要:分析了Si(111)7×7表面上Na(3×1)有序吸附的同步辐射光电子能谱的变化,并与Paggel等的扫描隧道显微镜和光电子能谱比较,得出Na吸附在类余留原子(rest atom)的位置,支持Mnch的模型,与室温下无序吸附Na的光电子能谱相比较,得出Na-Si界面肖特基势垒形成是由Na与Si原子之间的相互作用决定,与表面构形是否有序关系不大,势垒高度与MIGS理论预计值相符。

关 键 词:硅表面 钠 有序吸附结构 半导体 光电子能谱
收稿时间:1995-03-25

STUDIES OF Na ADSORBED ORDERLY AND DISORDERLY ON Si(111) SURFACE USING PES
ZHANG XUN-SHENG,FAN CAO-YANG,SUI HUA,BAO SHI-NING,XU YA-BO,XU SHI-HONG,PAN HAI-BIN and XU PENG-SHOU. STUDIES OF Na ADSORBED ORDERLY AND DISORDERLY ON Si(111) SURFACE USING PES[J]. Acta Physica Sinica, 1996, 45(7): 1244-1248
Authors:ZHANG XUN-SHENG  FAN CAO-YANG  SUI HUA  BAO SHI-NING  XU YA-BO  XU SHI-HONG  PAN HAI-BIN  XU PENG-SHOU
Abstract:The photoemission spectra with a sychrotron radiation of (3×1) Na adsorbed orderly and disor-derly on Si(lll)-7×7 surface are analyzed and compared with the spectra of clean Si(lll)-7×7 surface. Na atoms are not simply adsorbed on the adatoms or rest atoms. The formation of the Schot-tky barrier is decided by the interaction between Na and Si atoms and seem to bear no relation to the surface structure. The Schottky barrier height(SBH) from experimental data is agreement with the value estimated by MIGS theory.
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