| 不同辐射环境下CMOS器件总剂量测试技术与损伤差异研究 |
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| 引用本文： | 罗尹虹,龚建成,张凤祁,郭红霞,姚志斌,李永宏,郭宁. 不同辐射环境下CMOS器件总剂量测试技术与损伤差异研究[J]. 中国物理 C, 2006, 30(1): 79-83 |
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| 作者姓名： | 罗尹虹 龚建成 张凤祁 郭红霞 姚志斌 李永宏 郭宁 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,西安710024 |
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| 摘 要： | 对应用在不同辐射环境下HP4156半导体参数自动化在线测试系统以及脉冲总剂量效应在线测试系统进行了详细的介绍,说明其工作原理和技术指标,并利用这两套测试系统对典型CMOS器件4007在强光一号加速器脉冲硬X射线状态、长脉冲γ射线状态以及60Co稳态γ射线状态下开展了不同辐射环境总剂量损伤效应的比较研究, 为今后深入进行此项工作打下了基础.
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| 关 键 词： | CMOS 测试系统 强光一号加速器 总剂量损伤 |
| 收稿时间： | 2005-04-09 |
| 修稿时间： | 2005-04-092005-06-14 |
Total Dose Effect Test Technology and Damage Difference Study on CMOS Devices under Different Irradiation Environment |
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| LUO Yin-Hong,GONG Jian-Cheng,ZHANG Feng-Qi,GUO Hong-Xia,YAO Zhi-Bin,LI Yong-Hong,GUO Ning. Total Dose Effect Test Technology and Damage Difference Study on CMOS Devices under Different Irradiation Environment[J]. High Energy Physics and Nuclear Physics, 2006, 30(1): 79-83 |
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| Authors: | LUO Yin-Hong GONG Jian-Cheng ZHANG Feng-Qi GUO Hong-Xia YAO Zhi-Bin LI Yong-Hong GUO Ning |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS test system Qiangguang- I accelerator total dose damage |
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