| 氮化铝薄膜的光学性能 |
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| 作者姓名： | 颜国君 陈光德 邱复生 Zhaoyan Fan |
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| 作者单位： | 西安交通大学理学院应用物理系,西安,710049;美国西北大学电子与计算机工程系,伊利诺伊,60208;美国堪萨州立大学物理系,堪萨斯,66506 |
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| 摘 要： | 分别使用X衍射仪和紫外（190 nm～800 nm）分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC（001）基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明:实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明:AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下（10 k～293 k）的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明:温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致.
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| 关 键 词： | AIN薄膜 透射谱 吸收谱 禁带带宽 自由激子 |
| 收稿时间： | 2004-11-15 |
| 修稿时间： | 2004-11-15 |
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