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| 分子束外延生长多量子阱激光器的实验研究 | |
| 引用本文： | 刘斌,屠玉珍,顾德英,金志良,方祖捷,周均铭,黄绮.分子束外延生长多量子阱激光器的实验研究[J].微纳电子技术,1991(6). |
| 作者姓名： | 刘斌 屠玉珍 顾德英 金志良 方祖捷 周均铭 黄绮 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光机所，中国科学院上海光机所，中国科学院上海光机所，中国科学院上海光机所，中国科学院上海光机所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所 上海 201800，北京 100080，北京 100080 |
| 摘 要： | 本文报道了GaAlAs/GaAs多量子阱激光器的实验结果。采用Zn扩散平面条形结构的6μm宽单条激光器,获得了线性输出功率大于100mW的良好结果,其阈值电流密度为2000A/cm~2,室温下特征温度大于400K。 |
| 关 键 词： | 量子阱 半导体激光器 |
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