| 超深亚微米PMOSFET的自愈合效应 |
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| 引用本文： | 李晶,刘红侠,郝跃. 超深亚微米PMOSFET的自愈合效应[J]. 物理学报, 2006, 55(5): 2508-2512 |
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| 作者姓名： | 李晶 刘红侠 郝跃 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;国家科技攻关项目;教育部重点科研项目 |
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| 摘 要： | 主要研究负栅压偏置不稳定性(negative bias temperature instability，NBTI)效应中的自愈合效应，研究了器件阈值电压随着恢复时间和应力时间的恢复规律.研究表明器件的退化可以恢复是由于NBTI应力后界面态被氢钝化.关键词：负偏置温度不稳定性效应自愈合效应应力时间PMOSFET
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| 关 键 词： | 负偏置温度不稳定性效应 自愈合效应 应力时间 PMOSFET |
| 文章编号： | 1000-3290/2006/55（05）2508-05 |
| 收稿时间： | 2005-08-08 |
| 修稿时间： | 2005-08-082005-10-27 |
Study on self-healing effect in ultra deep submicron PMOSFET''''s |
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| Li Jing,Liu Hong-Xia,Hao Yue. Study on self-healing effect in ultra deep submicron PMOSFET''''s[J]. Acta Physica Sinica, 2006, 55(5): 2508-2512 |
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| Authors: | Li Jing Liu Hong-Xia Hao Yue |
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| Abstract: | The NBTI effect is studied in this paper with emphasis on its self-healing phenomenon. The recovery of threshold voltage shift with stress times and recovery time are studied. It is found that the recovery is mainly related to the re-passivation by hydrogen of interface states that occurred after the stress is stopped. |
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| Keywords: | PMOSFET |
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