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| 俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管效率衰退的影响 | |
| 作者单位： | 河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室,天津300401;河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室,天津300401 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 深紫外发光二极管 俄歇复合 电子泄漏 空穴注入 效率衰退 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
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