用正电子研究Ⅲ-V族化合物半导体的缺陷谱 |
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引用本文: | 王少阶,陈志权,王柱.用正电子研究Ⅲ-V族化合物半导体的缺陷谱[J].武汉大学学报(理学版),2000,46(1):67-72. |
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作者姓名: | 王少阶 陈志权 王柱 |
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作者单位: | 武汉大学物理学系,武汉,430072 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(69576020) |
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摘 要: | 简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ-V族化合物半导体缺陷的最新进展.包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等,研究表明.在原生半导体材料中存在各种缺陷.经过辐照和形变后有单空位、双空位及孔洞形成;在重掺杂材料中,空位还补偿载流子、使载流子发生饱和.
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关 键 词: | 正电子湮没 半导体 缺陷 |
文章编号: | 0253-9888(2000)0l-0067-06 |
修稿时间: | 1999-12-08 |
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