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| 用CH3CSNH2钝化GaP表在特性的研究 | |
| 引用本文： | 林秀华,徐富春.用CH3CSNH2钝化GaP表在特性的研究[J].发光学报,2000,21(2):115-119. |
| 作者姓名： | 林秀华 徐富春 |
| 作者单位： | [1]厦门大学物理学系 [2]厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室 |
| 摘 要： | 借助扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、Ｘ光电子能谱仪（ＸＰＳ）研究在不同处理条件下，ＧａＰ晶片表面硫化物钝化对其结构、形态以及表面形貌的影响。实验结果表明：经过ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液一定时间钝化处理后，ＧａＰ表面氧化物基本消失，形成薄的硫化物钝化层和较强的Ｇａ－Ｓ、Ｐ－Ｓ键，并引起Ｘ光电子能谱的Ｇａ、Ｐ芯能级化学位移，Ｇａ的硫化物有较好的稳定性。 |
| 关 键 词： | 硫代乙酰胺 表面性质 钝化 |
| 修稿时间： | 1999-08-17 |
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