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| 基于衍射谱分析的全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选 | |
| 作者姓名： | 廖陆峰 李思坤 王向朝 张利斌 张双 高澎铮 韦亚一 施伟杰 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室;2. 中国科学院大学材料与光电研究中心;3. 中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心 |
| 基金项目： | 国家02科技重大专项(2017ZX02101004-002,2017ZX02101004)；;上海市自然科学基金(17ZR1434100)； |
| 摘 要： | 提出了一种全芯片光源掩模联合优化的关键图形筛选方法,用图形的主要频率表征图形的特征,用主要频率的位置和轮廓信息描述主要频率在频域上的分布特征。设计了相应的主要频率提取方法、覆盖规则、聚类方法以及关键图形筛选方法,实现了全芯片光源掩模联合优化的关键图形筛选。采用荷兰ASML公司的商用计算光刻软件Tachyon进行了仿真验证,与ASML公司同类技术的对比结果表明,本方法获得的工艺窗口优于ASML Tachyon方法。 |
| 关 键 词： | 光学设计 光刻 分辨率增强技术 光源掩模联合优化 图形筛选 |