| 两步法快速退火对PSTT5铁电薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 孙宇澄,李雪冬,周圆苑,朱基亮,肖定全,朱建国.两步法快速退火对PSTT5铁电薄膜性能的影响[J].压电与声光,2009,31(5). |
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| 作者姓名： | 孙宇澄 李雪冬 周圆苑 朱基亮 肖定全 朱建国 |
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| 作者单位： | 1. 四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610065
2. 四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610065;绵阳师范学院,物理与电子信息工程系,四川,绵阳,621000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在LSCO/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了 0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(PSTT5)铁电薄膜.研究了不同的快速退火(RTA)工艺对PSTT5薄膜的结晶性能和铁电性能的影响.实验结果表明,经两步法快速退火,PSTT5薄膜具有完全钙钛矿结构且呈(220)取向.PSTT5薄膜的铁电性能测试结果也表明,采用两步法RTA处理的PSTT5薄膜具有更好的铁电性能,其剩余极化强度(2Pr)可达25.4 μC/cm2.
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 薄膜 快速退火(RTA) |
The Effect of Two Steps RTA on Properties of PSTT5 Thin Films |
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| SUN Yu-cheng,LI Xue-dong,ZHOU Yuan-yuan,ZHU Ji-liang,XIAO Ding-quan,ZHU Jian-guo.The Effect of Two Steps RTA on Properties of PSTT5 Thin Films[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2009,31(5). |
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| Authors: | SUN Yu-cheng LI Xue-dong ZHOU Yuan-yuan ZHU Ji-liang XIAO Ding-quan ZHU Jian-guo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 0 95Pb(Sc0 5Ta0 5)O3-0 05PbTiO3(PSTT5) |
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