| I-型硅基笼合物Ba8Ga16ZnxSi30-x的合成及电传输特性 |
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| 引用本文： | 邓书康,唐新峰,熊聪,张清杰.I-型硅基笼合物Ba8Ga16ZnxSi30-x的合成及电传输特性[J].半导体学报,2007,28(4):553-557. |
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| 作者姓名： | 邓书康 唐新峰 熊聪 张清杰 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，武汉 430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，武汉 430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，武汉 430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，武汉 430070 |
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| 摘 要： | 用固相反应法结合熔融法合成Zn掺杂单相n型Ba8Ga16ZnxSi30-x化合物，探索Zn在Si位的取代对其结构及电传输特性的影响规律. 研究结果表明：x=1时化合物的平均键角畸变Δθ最大为4.4. ；当取代分数x＝0, 2, 4时，对应样品的电导率明显高于x＝1, 3时对应样品的电导率，在室温附近，Ba8Ga16Zn2Si28化合物表现出较高的电导率，约为3.0e5S/m，当x=1时，对应化合物的电导率在测试温度范围内最低；当取代分数x＝0, 2, 4时对应样品的Seebeck系数明显高于x＝1, 3时对应样品的Seebeck系数，且随着填充分数的增加，Seebeck系数分别逐渐降低；Ba8Ga16Zn2Si28化合物在测试温度范围内表现出较好的电性能，在1000K处具有最大的功率因子1.03e-3W/ (m·K2) .
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| 关 键 词： | I-型笼合物 Seebeck系数 电导率 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)04-0553-05 |
| 修稿时间： | 10 15 2006 12:00AM |
Synthesis and Electrical Transmission Characteristics of Type-I Ba8Ga16ZnxSi30-x Clathrates |
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| Deng Shukang,Tang Xinfeng,Xiong Cong and Zhang Qingjie.Synthesis and Electrical Transmission Characteristics of Type-I Ba8Ga16ZnxSi30-x Clathrates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(4):553-557. |
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| Authors: | Deng Shukang Tang Xinfeng Xiong Cong and Zhang Qingjie |
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| Institution: | State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing,Wuhan University of Technology,Wuhan 430070,China;State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing,Wuhan University of Technology,Wuhan 430070,China;State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing,Wuhan University of Technology,Wuhan 430070,China;State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing,Wuhan University of Technology,Wuhan 430070,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | type-I clathrate Seebeck coefficient electrical conductivity |
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