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一种新型RF MEMS 单刀双掷开关的设计与仿真
引用本文:苟元潇,吴群,靳炉魁,陈鹏.一种新型RF MEMS 单刀双掷开关的设计与仿真[J].微波学报,2010,26(Z1):345-348.
作者姓名:苟元潇  吴群  靳炉魁  陈鹏
作者单位:(哈尔滨工业大学电子与信息工程学院,哈尔滨 150001
摘    要:本文介绍了一种利用单驱动电压控制通路选择的新型RF MEMS单刀双掷开关,利用三维仿真软件Ansoft HFSS和ANSYS进行仿真和优化设计该开关的性能。仿真结果表明:驱动电压为22V,开关时间为22μs,在中心频率30GHz处,开关处于down状态下的插入损耗为0.42dB,回波损耗为43dB,隔离度为29dB;而当开关处于up状态的插入损耗为0.53dB,回波损耗为19dB,隔离度为28dB,该开关的性能仿真和优化设计达到理想情况。

关 键 词:RF  MEMS  单刀双掷开关  单驱动电压  插入损耗  回波损耗  隔离度

Design and Simulation of a Novel RF MEMS SP2T Switch
GOU Yuan-xiao,WU Qun,JIN Lu-kui,CHEN Peng.Design and Simulation of a Novel RF MEMS SP2T Switch[J].Journal of Microwaves,2010,26(Z1):345-348.
Authors:GOU Yuan-xiao  WU Qun  JIN Lu-kui  CHEN Peng
Institution:School of Electronic and Information Engineering Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China
Abstract:
Keywords:RF MEMS  SP2T switch  single actuation voltage  insert loss  return loss  isolation
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