| 高频光电导衰减法测试Ge单晶少数载流子寿命 |
| |
| 引用本文： | 佟丽英,王俭峰,史继祥,张继荣,邢友翠,戚红英,李亚帅.高频光电导衰减法测试Ge单晶少数载流子寿命[J].半导体技术,2010,35(11):1102-1105. |
| |
| 作者姓名： | 佟丽英 王俭峰 史继祥 张继荣 邢友翠 戚红英 李亚帅 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220 |
| |
| 摘 要： | 高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时间长短反映了少数载流子寿命的大小。电阻率越低,少数载流子寿命越小,仪器就难以测试。介绍了电阻率为0.03~0.04Ω.cm Ge单晶少数载流子寿命的测试方法。通过理论分析及实际测试,发现影响Ge单晶测试的主要因素有3个,即样品的表面状态、厚度及测试仪器的小注入水平。通过规范这些测试条件,能够测试低阻Ge单晶的少数载流子寿命。
|
| 关 键 词： | 高频光电导 锗单晶 禁带宽度 光注入 少子寿命 |
Measurement of Minority-Carrier Lifetime in Ge by High Frequency Photoconductivity Decay |
| |
| Tong Liying,Wang Jianfeng,Shi Jixiang,Zhang Jirong,Xing Youcui,Qi Hongying,Li Yashuai.Measurement of Minority-Carrier Lifetime in Ge by High Frequency Photoconductivity Decay[J].Semiconductor Technology,2010,35(11):1102-1105. |
| |
| Authors: | Tong Liying Wang Jianfeng Shi Jixiang Zhang Jirong Xing Youcui Qi Hongying Li Yashuai |
| |
| Institution: | Tong Liying,Wang Jianfeng,Shi Jixiang,Zhang Jirong,Xing Youcui,Qi Hongying,Li Yashuai(The 46th Research Institute,CETC,Tianjin 300220,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | high frequency photoconductivity germanium band gap width photo injection minority-carrier lifetime |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
