| 高功率梯度折射率分别限制异质结构InGaAs/AlGaAs应变双量子阱激光器 |
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| 引用本文： | 陈国鹰,马祖光,王新桥. 高功率梯度折射率分别限制异质结构InGaAs/AlGaAs应变双量子阱激光器[J]. 光学学报, 1999, 19(8): 1084-1088 |
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| 作者姓名： | 陈国鹰 马祖光 王新桥 |
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| 作者单位： | 1. 河北工业大学电子工程系,天津300130
2. 哈尔滨工业大学光电子技术研究所,哈尔滨150001 |
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| 摘 要： | 采用金属有机化合物气相淀积（ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ）方法成功地研制了具有两对梯度折射率（ Ｇ Ｒ Ｉ Ｎ）异质结结构的 Ｉｎ Ｇａ Ａｓ／ Ａｌ Ｇａ Ａｓ 应变双量子阱激光器。该激光器的波长为 ９７０～９８２ ｎｍ ，室温连续工作阈值电流密度为１４０ Ａ／ｃｍ ２， 工作在０．９ Ａ 时单面连续输出光功率为５２０ ｍ Ｗ ， 工作在２．０ Ａ 时， 连续输出光功率为 １．４９ Ｗ ， 最高功率可达 ２．４ Ｗ 。微分量子效率高达０．８３ Ｗ ／ Ａ。
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| 关 键 词： | 梯度折射率 分别限制异质结 应变层 双量子阱 激光器 |
| 收稿时间： | 1998-02-18 |
Strained InGaAs/AlGaAs Double Quantum Well Laser with GRIN-SCH |
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| Chen Guoying,Ma Zuguang,Wang Xingqiao. Strained InGaAs/AlGaAs Double Quantum Well Laser with GRIN-SCH[J]. Acta Optica Sinica, 1999, 19(8): 1084-1088 |
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| Authors: | Chen Guoying Ma Zuguang Wang Xingqiao |
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| Abstract: | Strained In Ga As/ Al Ga As double quantum w ell lasers w ith tw o pairs of gradedindex ( G R I N) heterostructure have been fabricated by M O C V D m ethod. Its w avelengthranges from 970 to 982 nm , threshold current density is 140 A/cm 2 at room tem perature C Woperation. 520 m W /facet and 1.49 W /facet for C W output optical pow er has been obtainedunder 0.9 A and 2.0 A operation, respectively. The m axim um C W output optical pow er cancom e up to 2.4 W /facet. |
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| Keywords: | graded index separate confinem ent heterostructure ( S C H) strained layer double quantum w ells laser. |
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