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AlGaInP半导体发光器件的光谱研究
引用本文:刘明海.AlGaInP半导体发光器件的光谱研究[J].现代物理知识,1996(Z1).
作者姓名:刘明海
作者单位:山西师范大学物理系!临汾041004
摘    要:金属有机化学蒸汽淀积和分子束外延技术在半导体生长方面已取得巨大的成功,使电子技术领域发生了深刻的变化,像双异质激光器、量子阱激光器、隧道二极管等所谓“能带工程”已得到广泛的研究与应用。

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