半导体器件抗辐射加固现状及其发展 |
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引用本文: | 宋钦歧.半导体器件抗辐射加固现状及其发展[J].半导体杂志,1990,15(1):25-30. |
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作者姓名: | 宋钦歧 |
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摘 要: | 对六种现有器件的抗辐照水平进行了简单的介绍,其中CMOS和CMOS/SOS器件具有较好的抗辐照能力,将被军用和空间电子系统广泛采用,特别CMOS器件是空间电子系统应用最理想器件。本文详细的介绍了具有很大发展前途的二种抗辐射加固器件-SOI和GaAS器件,它们的抗辐照能力将能完全满足军用电子系统对抗辐射加固愈来愈高的要求。
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关 键 词: | 半导体器件 抗辐射加固 工艺 |
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