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| 15 kV/10 A SiC功率MOSFET器件设计及制备 | |
| 作者姓名： | 李士颜 杨晓磊 黄润华 汤伟 赵志飞 柏松 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,宽禁带半导体电力电子国家重点实验室,南京,210016 |
| 摘 要： | 报道了在150μm厚、掺杂浓度5.0×1014 cm-3的外延层上制备15 kV/10A超高压SiC功率MOSFET器件的研究结果.对器件原胞结构开展了仿真优化,基于材料结构、JFET区宽度和JFET区注入掺杂等条件优化,有效地提升了器件的导通能力,器件比导通电阻为204 mΩ· cm2,击穿电压大于15.7 kV,在... |
| 关 键 词： | SiC功率MOSFET 阻断电压 15 kV 比导通电阻 动态特性 |
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