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New developments for nitride unipolar devices at 1.3–1.5 μm wavelengths |
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| Authors: | L. Nevou M. Tchernycheva L. Doyennette F.H. Julien E. Warde R. Colombelli F. Guillot S. Leconte E. Monroy T. Remmele M. Albrecht |
| Affiliation: | aAction OptoGaN, Institut d’Electronique Fondamentale, Université Paris-Sud, UMR 8622 CNRS, 91405 Orsay cedex, France;bEquipe mixte CEA-CNRS-UJF Nanophysique et Semiconducteurs, DRFMC/SP2M/PSC, CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 9, France;cInstitut für Kristallzüchtung, Max-Born-Strasse 2, D-12489 Berlin, Germany |
| Abstract: | |
| Keywords: | Nitrides Intersubband absorption Coupled quantum wells GaN/AlN Unipolar devices |
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