| 掺碲硒化镓晶体的光学性能(英文) |
| |
| 引用本文： | 古新安,朱韦臻,罗志伟,ANDREEV Y M,LANSKII G V,SHAIDUKO A V,IZAAK T I,SVETLICHNYI V A,VAYTULEVICH E A,ZUEV V V. 掺碲硒化镓晶体的光学性能(英文)[J]. 中国光学与应用光学文摘, 2011, 0(6) |
| |
| 作者姓名： | 古新安 朱韦臻 罗志伟 ANDREEV Y M LANSKII G V SHAIDUKO A V IZAAK T I SVETLICHNYI V A VAYTULEVICH E A ZUEV V V |
| |
| 作者单位： | 国立交通大学;俄罗斯科学院西伯利亚分院气候与生态系统监测研究所;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;俄罗斯托木斯克洲立大学西伯利亚物理技术研究所; |
| |
| 基金项目： | supported by RFBR Project(No.10-02-01452-a); Presidium SB RAS under the Project VII.63.3.1 of VII.63.3 Prog; Join Proj.between Presidium SB RAS and Presidium NAS,Belarus No.10 of 2010 |
| |
| 摘 要： | 采用水平区熔法生长了碲(Te)掺杂浓度(质量百分比)分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓(GaSe)晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38%,0.67%,2.07%的GaSe∶Te晶体的光学性能进行了表征。首次研究了GaSe∶Te晶体中刚性层声子模式的转换。吸收光谱测试结果表明:当Te掺杂浓度小于0.38%时,振动中心位于0.59 THz附近的E'(2)刚性模式吸收峰强度可达最大值,这一过程与GaSe∶Te晶体光学性能的提高密切相关。但Te掺杂浓度的进一步提高会导致E'(2)刚性模式吸收峰强度逐渐减弱,当Te掺杂浓度为1%时,E'(2)刚性模式吸收峰基本消失。这两个过程与GaSe∶Te晶体光学质量的下降密切相关。因此,E'(2)刚性模式吸收强度达到最高时对应的掺杂浓度即是GaSe∶Te晶体中Te的最佳掺杂浓度,光整流产生太赫兹过程证实了此结论的正确性。
|
| 关 键 词： | 硒化镓 掺碲硒化镓 晶体生长 光学性能 太赫兹 |
Optical properties of Te-doped GaSe crystal |
| |
| KU Shin-an,CHU Wei-chen,LUO Chih-wei,REEV Y M,,LANSKII G V,SHAIDUKO A V,IZAAK T I,SVETLICHNYI V A,VAYTULEVICH E A,ZUEV V V. Optical properties of Te-doped GaSe crystal[J]. Chinese Optics and Applied Optics Abstracts, 2011, 0(6) |
| |
| Authors: | KU Shin-an CHU Wei-chen LUO Chih-wei REEV Y M LANSKII G V SHAIDUKO A V IZAAK T I SVETLICHNYI V A VAYTULEVICH E A ZUEV V V |
| |
| Affiliation: | KU Shin-an1,CHU Wei-chen1,LUO Chih-wei1,ANDREEV Y M2,4,LANSKII G V2,SHAIDUKO A V2,IZAAK T I3,SVETLICHNYI V A3,VAYTULEVICH E A3,ZUEV V V2 (1.National Chiao Tung University,Hsinchu 30010,Taiwan,China,2.Institute of Monitoring of Climatic and Ecological System SB RAS,Tomsk 634055,Russia,3.Siberian Physics-technical Institute of TSU,Tomsk 634050,4.Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences,Changchun 130033,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
