|
|||||
|
|
| 采用离子注入方法调整和控制氢离子敏场效应管(pH-ISFET)阈值电压 | |
| 引用本文： | 汪正孝.采用离子注入方法调整和控制氢离子敏场效应管(pH-ISFET)阈值电压[J].半导体学报,1989,10(1):62-66. |
| 作者姓名： | 汪正孝 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京 |
| 摘 要： | 本文首先分析了影响pH-ISFET阈值电压的几个因素.随后给出了在不同的离子注入参数下SOS型MISFET的阈值电压(V_T)_M及对应的参比电极-溶液-pH-ISFET的阈值电压(V_T)_R和△V_T=(V_T)_R-(V_T)_M的实测值曲线.最后对结果进行了讨论. |
| 关 键 词： | PH－ISFET 离子注入 阀值电压 |
Control and Adjustment of Threshold Voltage of pH-ISFET by Using Ion Implantation |
|
| Wang Zhengxiao/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing.Control and Adjustment of Threshold Voltage of pH-ISFET by Using Ion Implantation[J].Chinese Journal of Semiconductors,1989,10(1):62-66. | |
| Authors: | Wang Zhengxiao/Institute of Semiconductors Academia Sinica Beijing |
| Abstract: | |
| Keywords: | pH-ISFET MISFET Silicon-on-sapphire(SOS) Threshold voltage to Implantation |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 | |