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| 集成电路ESD介质击穿过程中击穿电荷物理模型研究 | |
| 引用本文： | 孙可平,李学文.集成电路ESD介质击穿过程中击穿电荷物理模型研究[J].山东科技大学学报(自然科学版),2003,22(Z1):1-2. |
| 作者姓名： | 孙可平 李学文 |
| 作者单位： | 上海海运学院,静电与电磁兼容研究室,上海,200135 |
| 摘 要： | 在集成电路绝缘氧化层静电放电(ESD)介质击穿物理模型的基础上,讨论并建立了击穿电荷的数学物理模型,给出了击穿电荷与氧化层表面累积电荷密度的关系式. |
| 关 键 词： | (ESD)击穿电荷 介质击穿 IC技术 |
| 文章编号： | 1672-3767(2003)Sup.-0001-02 |
Research on the physical Model of Charge-to-breakdown of IC Devices |
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