| NO(X~2∏_(1/2,3/2))v=1←0塞曼跃迁谱及其特性研究 |
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| 作者姓名： | 郭远清 刘红平 刘效庸 林洁丽 黄光明 高晖 李津蕊 李奉延 刘煜炎 |
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| 作者单位： | 中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室!武汉，430071，中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室!武汉，430071，中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室!武汉，430071，中国科学院武汉物理与数学研究所 |
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| 基金项目： | “九五”攀登计划，中国科学院“百人计划”，国家自然科学基金!19874072 |
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| 摘 要： | 根据塞曼效应理论和激光磁共振光谱技术（LMR）的基本原理，讨论了双原子分子2∏态的塞曼效应特性并导出了解释分子塞曼跃迁的简明代数拟合方程，用这些方程对14N16O（X2∏1/2.3/2）及15N16O（X2∏3/2）（U＝1←0）的LMR谱线进行数据拟合，得到塞曼跃迁上、下子能级的gJ因子值和二级塞曼效应因子k2.将按Hund耦合情形（a）及过渡情形（ab）的理论和拟合方程计算出的磁场位置分别与实验结果相比较，结果表明对NO分子而言，过渡情形（ab）能较真实反映它的耦合情况，且在较高强度磁场下，必须计及二级塞曼修正验证了采用上述代数拟合方程实现新分子LMR谱线标识和指认的可靠性，并提供了系统的处理方法．
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| 关 键 词： | NO 激光磁共振 塞曼效应 光谱特性 |
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