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| 易于恢复的N-MOS RAM | |
| 作者姓名： | 王洪涛 |
| 摘 要： | 注:MOS(金属氧化物半导体),RAM(随机存取存储器) 最近几年,设计人员曾预言,MOS BAM很快代替磁心存储器。尽管有这些预言和最新的高密度P─—沟道硅门MOS RAM在速度和消耗在同样有储片上的功耗胜过磁心存储值,计算机系统仍很少在它们的主存储器中使用这些RAMS。主要原因是:(1)P─—构道动态MOS RAMS都需要复杂的同步计时和控制线路。把它们合并到具有OPUS(中央处理装置)的计算机系统中,由于所有OPUS已经设计成用磁心,所以需要重新设计大量的逻辑系统。加之,由于计算机逻辑比它的存储器是大大多花钱的,所以重新设计逻辑系统比经济观 |
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