Ⅱ-Ⅵ族宽禁带蓝绿色发光器材料的MBE研究 |
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引用本文: | 王善忠,姬荣斌,巫艳,许颐璐,郭世平,何力.Ⅱ-Ⅵ族宽禁带蓝绿色发光器材料的MBE研究[J].电子显微学报,1997,16(4):385-388. |
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作者姓名: | 王善忠 姬荣斌 巫艳 许颐璐 郭世平 何力 |
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作者单位: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
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摘 要: | 本文报道ZnSe基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、p型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ZnSe材料的生长。实验证明国产MBE设备能够自洽生长优质ZnSe单晶薄膜;用自制的等离子体活性氮源作受主掺杂剂,获得了pZnSe单晶薄膜,经CV测量发现,[Na][Nd]高达~5×1017·cm-3;用国产粉末状ZnCl2源作施主掺杂剂,获得了nZnSe单晶薄膜,Hal测量表明[n]高达~23×1019·cm-3。生长速度均控制在~05μm/h。
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关 键 词: | 分子束外延 ZnS基Ⅱ-Ⅵ族宽带材料 蓝绿发光器 等离子激活氮源 ZnCl_2粉末 p型掺杂 n型掺杂 |
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