| 溶胶凝胶法制备透明IZO薄膜晶体管 |
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| 引用本文： | 信恩龙,李喜峰,张建华. 溶胶凝胶法制备透明IZO薄膜晶体管[J]. 发光学报, 2013, 0(2): 208-212 |
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| 作者姓名： | 信恩龙 李喜峰 张建华 |
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| 作者单位： | 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61006005);上海市科学技术委员会项目(10dz1100102)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用溶胶凝胶法制备了非晶铟锌氧化物(a-IZO)薄膜,并作为薄膜晶体管(TFT)的有源层制备了a-IZO TFT。研究了IZO薄膜中铟锌比对薄膜性质及a-IZO TFT器件性能的影响。结果表明:溶胶凝胶法制备的IZO薄膜经低温(300℃)退火后为非晶结构,薄膜表面均匀平整、致密,颗粒大小为20 nm左右,并具有高透过率(>85%)。IZO薄膜中的铟锌比对薄膜的电学性能和TFT器件特性影响显著,增加In含量有利于提高薄膜和器件的迁移率。当铟锌比为3∶2时,所获得的薄膜适合于作为薄膜晶体管的有源层,制备的IZO-TFT经过相对低温(300℃)退火处理具有较好的器件性能,阈值电压为1.3 V,载流子饱和迁移率为0.24 cm2·V-1·s-1,开关比(Ion∶Ioff)为105。
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| 关 键 词： | 溶胶凝胶法 铟锌氧化物薄膜 薄膜晶体管 低温 |
Fabrication of Transparent Indium Zinc Oxide Thin Film Transistors by Sol-gel Technology |
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| XIN En-long,LI Xi-feng,ZHANG Jian-hua. Fabrication of Transparent Indium Zinc Oxide Thin Film Transistors by Sol-gel Technology[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2013, 0(2): 208-212 |
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| Authors: | XIN En-long LI Xi-feng ZHANG Jian-hua |
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| Affiliation: | (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education,Shanghai University,Shanghai 200072,China) |
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| Abstract: | |
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