| 偏压对磁控溅射沉积立方氮化硼薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 徐锋,左敦稳,张旭辉,户海峰,王珉.偏压对磁控溅射沉积立方氮化硼薄膜的影响[J].人工晶体学报,2012,41(4):853-857. |
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| 作者姓名： | 徐锋 左敦稳 张旭辉 户海峰 王珉 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学机电学院,南京,210016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51005117) |
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| 摘 要： | 合适的衬底偏压是物理气相沉积制备cBN的必须条件,本文采用基于蒙特卡洛方法的SRIM软件对PVD过程中离子轰击衬底进行了分析,并进行了相关的实验研究.仿真与实验结果显示,随着离子轰击能量的增加,离子轰击深度和范围扩大,有利于cBN的成核与生长,但是过大的轰击能量会导致薄膜表面N与B元素的不匹配以及薄膜立方相的下降.同时,在PVD气氛中适量添加N2可以弥补薄膜表面N元素的损失,有利于提高立方相含量.
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| 关 键 词： | 立方氮化硼薄膜 磁控溅射 衬底偏压 离子轰击 立方相 |
Effect of Substrate Bias on the cBN Film Deposition by Magnetron Sputtering |
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| XU Feng
,
ZUO Dun-wen
,
ZHANG Xu-hui
,
HU Hai-feng
,
WANG Min.Effect of Substrate Bias on the cBN Film Deposition by Magnetron Sputtering[J].Journal of Synthetic Crystals,2012,41(4):853-857. |
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| Authors: | XU Feng ZUO Dun-wen ZHANG Xu-hui HU Hai-feng WANG Min |
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| Institution: | (College of Mechanical and Electrical Engineering,Nanjing University of Aeronautics & Astronautics,Nanjing 210016,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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