| 亚微米自对准硅化物工艺开发 |
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| 引用本文： | 刘允,陈海峰.亚微米自对准硅化物工艺开发[J].电子与封装,2006,6(3):37-39. |
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| 作者姓名： | 刘允 陈海峰 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035;中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035 |
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| 摘 要： | 文章对亚微米自对准硅化物制造设备及工艺进行了详细的描述。文中以实际生产为目标, 以实验数据为依据,对影响自对准硅化物薄膜特性的各项工艺参数进行调试和论证,找出合适的RTP1 温度,并开发出适合自对准硅化物薄膜的工艺标准。
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| 关 键 词： | 自对准硅化物 硅化物桥 电阻率 转移曲线 RTP退火 |
| 文章编号： | 1681-1070（2006）03-37-03 |
| 收稿时间： | 2005-10-05 |
| 修稿时间： | 2005年10月5日 |
The Development of Salicide in Sub-micron Process |
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| Liu Yun,Chen Hai-feng.The Development of Salicide in Sub-micron Process[J].Electronics & Packaging,2006,6(3):37-39. |
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| Authors: | Liu Yun Chen Hai-feng |
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| Institution: | China Electronics Technology Group Corporation No58 Research Institute, Wuxi Jiangsu 214035, China |
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| Abstract: | This article describes the process and equipment of salicide in sub-micron process. For the purpose of production, based on experiment data, this experiment examines several process parameters that effect the salicide film properties to find out the proper RTP1 temperature, and develop corresponding salicide process rules. |
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| Keywords: | Salicide Silicide Bridge Resistivity Transformation Curve RTP Anneal |
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