| 化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征 |
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| 引用本文： | 高欣,孙国胜,李晋闽,赵万顺,王雷,张永兴,曾一平.化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征[J].半导体学报,2005,26(13):70-73. |
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| 作者姓名： | 高欣 孙国胜 李晋闽 赵万顺 王雷 张永兴 曾一平 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;兰州大学物理学院，兰州 730000;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083 |
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| 摘 要： | 采用常压化学气相沉积（APCVD）方法在偏向〈1120〉晶向8. 的p型4H-SiC (0001) Si-面衬底上进行同质外延生长. 霍尔测试的结果表明，非有意掺杂的外延膜层导电性为n型. XRD测试显示各个样品只在位于2θ=355. 附近出现一个谱峰，表明外延膜是SiC单晶. 在低温PL谱中，对于在较低温度下外延生长的4H-SiC样品，在1.8～2.4eV范围内出现很宽的谱峰. 而在该样品的Raman谱中，也观察到了典型的3C-SiC的特征峰，表明该样品含有立方相SiC的混晶，这与PL谱获得的结果相吻合.
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| 关 键 词： | 碳化硅 化学气相沉积 Raman PL |
Homoepitaxial Growth and Properties of 4H-SiC by Chemical Vapor Deposition |
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| Gao Xin,Sun Guosheng,Li Jinmin,Zhao Wanshun,Wang Lei,Zhang Yongxing and Zeng Yiping.Homoepitaxial Growth and Properties of 4H-SiC by Chemical Vapor Deposition[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(13):70-73. |
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| Authors: | Gao Xin Sun Guosheng Li Jinmin Zhao Wanshun Wang Lei Zhang Yongxing and Zeng Yiping |
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| Institution: | Novel Semiconductor Material Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Novel Semiconductor Material Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Novel Semiconductor Material Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Novel Semiconductor Material Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Novel Semiconductor Material Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China;Novel Semiconductor Material Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC CVD Raman PL |
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