| 中波碲镉汞雪崩光电二极管(APD)增益特性 |
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| 引用本文： | 李雄军,韩福忠,李立华,李东升,胡彦博,杨登泉,杨超伟,孔金丞,舒恂,庄继胜,赵俊.中波碲镉汞雪崩光电二极管(APD)增益特性[J].红外与毫米波学报,2019,38(2):175-181. |
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| 作者姓名： | 李雄军 韩福忠 李立华 李东升 胡彦博 杨登泉 杨超伟 孔金丞 舒恂 庄继胜 赵俊 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所 |
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| 摘 要： | 采用不同工艺制备了中波碲镉汞雪崩二极管(HgCdTe APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析。结果表明,不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分别为1.2μm 和2.5μm,较宽的耗尽层有效抑制了高反偏下器件的隧道电流,器件有效增益则从近100提高至1000以上。采用拟合HgCdTe APD器件增益-偏压曲线获得了较好的效果,且拟合得到的参数与Sofradir的Rothman的结果相似。
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| 关 键 词： | 中波碲镉汞 雪崩光电二极管 增益 C-V |
| 收稿时间： | 2018/5/27 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/10/13 0:00:00 |
Gain characteristics of MW HgCdTe avalanche photodiodes |
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| LI Xiong-Jun,HAN Fu-zhong,LI Li-hu,LI Dong-sheng,HU Yan-bo,YANG Deng-quan,YANG Chao-wei,KONG Jin-cheng,SHU Xun,ZHUANG Ji-Sheng and ZHAO Jun.Gain characteristics of MW HgCdTe avalanche photodiodes[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2019,38(2):175-181. |
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| Authors: | LI Xiong-Jun HAN Fu-zhong LI Li-hu LI Dong-sheng HU Yan-bo YANG Deng-quan YANG Chao-wei KONG Jin-cheng SHU Xun ZHUANG Ji-Sheng and ZHAO Jun |
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| Institution: | Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics and Kunming Institute of Physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MW HgCdTe avalanche photodiode Gain C-V |
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