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| 用离子背散射方法进行半导体材料的表面分析 | |
| 引用本文： | 中国科学院半导体研究所、中国科学院高能物理研究所背散射协作组.用离子背散射方法进行半导体材料的表面分析[J].物理,1979(2). |
| 作者姓名： | 中国科学院半导体研究所、中国科学院高能物理研究所背散射协作组 |
| 摘 要： | 一、引 言 单能离子束的背散射技术已广泛地应用到固体物理中.随着半导体技术的飞跃发展,背散射技术又与半导体物理的发展紧密地联系起来,使它成为研究半导体表面不可缺少的分析手段之一.在1973—1977年曾先后召开过三次有关离子束表面分析的国际会议1-3],详细介绍了背散射技术及其在固体物理和半导体材料中的应用. 背散射分析方法的优点是:准确、简单、快速,测量时对样品没有破坏性,用这种方法分析过的样品可以再用其它方法进行分析,然后对分析的结果进行比较. 我们利用2.SMeV静电加速器产生的H”和 He+离子束对一些半导体材料的表面层… |
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