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| 半导体晶片Fe/Ni玷污的紫外荧光谱研究 | |
| 作者姓名： | 曾庆城 王水凤 罗庆芳 严中一 张霖霖 |
| 作者单位： | 江西大学应用物理研究所； 江西大学中心实验室； 江西大学中心实验室； |
| 摘 要： | 针对Si,GaAs半导体晶片中金属杂质玷污的问题,本文提出了紫外光致荧光谱的检测方法。常温下,晶片中的Fe,Ni杂质玷污可产生紫外特征荧光峰。这种新的检测方法是非破坏性的,并适用于φ76.2mm,φ100mm大圆片的直接检验,而且具有较高的检测灵敏度。 |
| 关 键 词： | 洁净晶片 无损检测 紫外光致荧光 硅中铁玷污 |
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