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| 硅片分凝除铁效应的研究 | |
| 引用本文： | 王水凤,洪春勇,傅永明,甘国堂.硅片分凝除铁效应的研究[J].南昌大学学报(理科版),1992,16(1):1. |
| 作者姓名： | 王水凤 洪春勇 傅永明 甘国堂 |
| 作者单位： | 江西大学； 江西大学； 江南材料厂 江西国药厂； |
| 摘 要： | 针对实用硅片研磨损伤层中的铁杂质玷污问题,本文探讨了Al-Fe-Si固溶体系的分凝效应,提出了一种热处理除铁的新工艺。实验样品用紫外光致荧光谱法进行了分析,并用扫描电镜X光能谱检测。结果表明,这一工艺使铁杂质含量明显下降。 |
| 关 键 词： | 紫外荧光谱分析 电力半导体器件 铁杂质玷污 分凝除铁效应 |
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