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| α-Fe_2O_3掺杂对In_2O_3电导和气敏性能的影响 | |
| 作者姓名： | 葛秀涛 刘杏芹 |
| 作者单位： | 1. 滁州师范专科学校化学系 2. 中国科学技术大学材料科学与工程系 |
| 基金项目： | 安徽省教育厅自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 用化学共沉淀法制备了α－Ｆｅ２Ｏ３掺杂的Ｉｎ２Ｏ３纳米晶微粉，研究了α－Ｆｅ２Ｏ３掺杂对Ｉｎ２Ｏ３电导和气敏性能的影响．结果表明，α－Ｆｅ２Ｏ３和 Ｉｎ２Ｏ３间可形成有限固溶体Ｉｎ２－ｘＦｅｘＯ３（０≤ｘ≤０．４０）；Ｆｅ３＋对 Ｉｎ２Ｏ３晶格中Ｉｎ３＋格位的部分取代，大大增强了阴阳离子间的结合力，导致材料中氧空位Ｖｏｘ数骤降、自由电子的浓度变稀和电导下降．ｎ（Ｆｅ３＋）：ｎ（Ｉｎ３＋）＝５：５的共沉淀粉于 ８００℃下灼烧 ４ ｈ所得的 α－Ｆｅ２Ｏ３掺杂Ｉｎ２Ｏ３传感器元件，对 ４５μｍｏｌ·Ｌ－１Ｃ２Ｈ５ＯＨ的灵敏度达５４．０，为相同浓度干扰气体汽油的８倍多． |
| 关 键 词： | 共沉淀 In2-xFexO3 电导 C2H5OH 气敏性 |
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