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| 高TcYBCO超导薄膜微带延迟线研制 | |
| 作者姓名： | 任琮欣 屠恺元 |
| 作者单位： | [1]中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室 [2]电子工业部第二十三研究所 |
| 基金项目： | 上海市科学技术委员会资助 |
| 摘 要： | 本报导了延时为２．２ｎｓ的ＴＣ超导薄膜延迟线的制作工艺。应用直流磁控溅射在１０×１０ｍｍ＾２ＬａＡｌＯ３衬底上均匀地外延生长４５０ｎｍ优质ＹＢＣＯ超导薄膜，采用离子束干法刻蚀技术制作出宽为１６６μｍ长为１７４ｍｍ的曲折线图形，配以合适的气密性封装，经美国ＨＰ８５０７矢量网络分析仪测量，在温度７８Ｋ频率１．２ＧＨｚ时，延迟线的插入损耗低达０．０４ｄＢ，仅为相同条件下铜膜延一插损的１／１６０。 |
| 关 键 词： | YBCO 高Tc 超导薄膜 延迟线 |
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