| 氮化硅支撑层薄膜的PECVD法制备及性能研究 |
| |
| 引用本文： | 莫镜辉,刘黎明,太云见,杨培志.氮化硅支撑层薄膜的PECVD法制备及性能研究[J].半导体光电,2007,28(6):804-807. |
| |
| 作者姓名： | 莫镜辉 刘黎明 太云见 杨培志 |
| |
| 作者单位： | 昆明物理研究所,云南,昆明,650223;昆明物理研究所,云南,昆明,650223;昆明物理研究所,云南,昆明,650223;昆明物理研究所,云南,昆明,650223 |
| |
| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))上成功制备了用于非致冷红外焦平面阵列微桥结构支撑层的氮化硅薄膜.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)及原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的微观结构和表面形貌;分别采用台阶仪、薄膜应力分布测试仪和快速退火炉等手段测试了薄膜的厚度均匀性,应力大小和耐温性能等参数.结果表明,制备氮化硅薄膜为非晶态,含有少量的氢,主要表现为Si-N键合;薄膜表面平整、致密,厚度不均匀性小于5%,具有107Pa的较低压应力,耐温性能较好.
|
| 关 键 词： | 氮化硅薄膜 PECVD 非致冷焦平面探测器 微桥结构支撑层 |
| 文章编号： | 1001-5868（2007）06-0804-04 |
| 收稿时间： | 2006-01-17 |
| 修稿时间： | 2006年1月17日 |
Preparation and Properties of Silicon Nitride Supporting Membranes Grown by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition |
| |
| MO Jing-hui,LIU Li-ming,TAI Yun-jian,YANG Pei-zhi.Preparation and Properties of Silicon Nitride Supporting Membranes Grown by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition[J].Semiconductor Optoelectronics,2007,28(6):804-807. |
| |
| Authors: | MO Jing-hui LIU Li-ming TAI Yun-jian YANG Pei-zhi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | silicon nitride thin films PECVD UFPA microbridge structure supporting membranes |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
