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| 利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性 | |
| 引用本文： | 刘忠立,和致经,于芳,张永刚,郁元桓.利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性[J].半导体学报,1999,20(5):433-436. |
| 作者姓名： | 刘忠立 和致经 于芳 张永刚 郁元桓 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件同体硅ＣＭＯＳ器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流较大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的．本文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件特性的实验结果． |
| 关 键 词： | CMOS／SOS器件 SOI系统 固相外延技术 |
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