| 氧化硅RIE刻蚀工艺研究 |
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| 引用本文： | 杜文涛,曾志刚,胡志宇.氧化硅RIE刻蚀工艺研究[J].半导体光电,2014,35(1):57-60. |
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| 作者姓名： | 杜文涛 曾志刚 胡志宇 |
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| 作者单位： | 上海大学 纳微能源研究所, 上海 200444;上海大学 纳微能源研究所, 上海 200444;上海大学 纳微能源研究所, 上海 200444 |
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| 基金项目： | 上海市科委国际合作项目(12ZR1444000,10PJ1403800,11DZ1111200); 上海市嘉定区政府千人计划人才专项科研启动经费项目; 云南省科技厅省院省校科技合作专项(2010AD003); 上海高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金项目. |
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| 摘 要： | 利用反应等离子刻蚀技术对SiO2进行干法刻蚀,研究了不同刻蚀条件对刻蚀速率、刻蚀选择比、刻蚀面粗糙度、刻蚀均匀性等的影响。分析得出了刻蚀侧壁角度与刻蚀选择比以及抗蚀掩模自身的侧壁角度之间存在的数学关系,这为如何获得垂直的刻蚀侧壁提供了参考。
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| 关 键 词： | 反应等离子刻蚀 氧化硅 工艺参数 刻蚀侧壁角度 |
| 收稿时间： | 2013/6/26 |
Study on Reactive Ion Etching of SiO2 |
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| Abstract: | SiO2 was etched by the reactive ion etching technology and the influences of different etching conditions on etching rate, etching selectivity, etching surface roughness and etching uniformity were investigated in detail. According to the result, functional relationship between the sidewall angles of SiO2, the etching selectivity and the sidewall angle of resist mask was obtained. |
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| Keywords: | reactive ion etching SiO2 process parameter sidewall angle |
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