GaN材料生长研究 |
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引用本文: | 章其麟,秦国刚.GaN材料生长研究[J].半导体情报,1997,34(5):6-9. |
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作者姓名: | 章其麟 秦国刚 |
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摘 要: | 用常压MOCVD方法我们在蓝宝石,Si衬底上,成功地制备出GaN单昌薄膜材料,取得了GaN材料的初步测试结果,纯度GaN为n型,载流子浓度为10^^17-10^18cm-^-3,迁移率为200-350cm^2/V.s.双晶衍射半峰宽为7‘,室温PL光谱本征发光波长为370nm,并首次观察到掺ZnGaN呈p型电导。
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关 键 词: | 氮化镓 发光二极管 外延生长 |
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