| 高可靠硅基MCM芯片凸点技术研究 |
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| 引用本文： | 叶冬,刘欣,刘建华,罗驰.高可靠硅基MCM芯片凸点技术研究[J].微电子学,2008,38(4). |
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| 作者姓名： | 叶冬 刘欣 刘建华 罗驰 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 介绍了采用芯片凸点和倒装焊技术(FCB)的MCM-Si工艺,重点研究了凸点下金属化(UBM)结构设计对电路可靠性的影响;通过再流焊和可靠性试验,以及凸点拉脱力测试,进行了可靠性评价.采用该工艺制作的电路已达到<混合集成电路通用规范>(GJB2438A-2002)靠性等级的H级.
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| 关 键 词： | 多芯片组件 倒装焊 凸点下金属层 |
Study on High Reliability UBM for MCM-Si Technology |
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| YE Dong,LIU Xin,LIU Jianhua,LUO Chi.Study on High Reliability UBM for MCM-Si Technology[J].Microelectronics,2008,38(4). |
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| Authors: | YE Dong LIU Xin LIU Jianhua LUO Chi |
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