新型蓝光衬底材料LiAlO2晶体的生长的缺陷分析 |
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作者姓名: | 徐科 邓佩珍 |
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摘 要: | LiAlO2和GaN的晶格失配率只有1.4%,是一种很有希望的GaN外延生长衬底材料。本文利用温度梯度法生长出透明的LiAlO2单晶,并通过化学浸蚀、光学显微镜、透射电子显微镜、同步辐射X射线貌相术对晶体中的缺陷进行了检测。结果表明:LiAlO2在钼坩埚中无籽晶自由凝固结日地,是沿(100)方向生长。用温度梯度法生长的AiAlO2晶体质量良好,晶体中无气泡和包裹物,在LiAlO2(100)方向晶面
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关 键 词: | 晶体生长 缺陷 蓝光衬底 LiAlO2 外延生长 |
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