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ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长和激光光学性质的研究
引用本文:张希清 TangZK.ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长和激光光学性质的研究[J].光子学报,2001,30(2):152-155.
作者姓名:张希清  TangZK
作者单位:[1]北方交通大学光电子技术研究所,北京100044 [2]DepartmentofPhysics,TheHongKongUniversityofScienceandTechnol
摘    要:用分子束外延在GaAs衬底上生长了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构,利用X射线衍射(XRD)、变温度PL光谱和ps发光衰减等研究了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构和激子复合特性,由变温PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理。

关 键 词:激子  分子束外延  ZnCdSe/ZnSe多量子阱  自由激子发光  变温PL光谱  X射线衍射  XRD
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