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| 光电子技术与器件 | |
| 摘 要： | 光探测与器件TN232006021443GaN p-i-n紫外探测器的研制=GaN p-i-n ultraviolet de-tectors刊,中]/陈江峰(上海交通大学微电子学院.上海(200092)),李雪∥半导体光电.—2005,26(6).—491-493,498研制了一种GaN p-i-n型单元器件,详细地讨论了该器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压在2V左右,零偏动态电阻R0约为1010~1011Ω,最大峰值响应率在365nm处为0.18~0.21A/W,器件的上升响应时间和下降时间分别为2.8ns和13.4ns。图6参9(杨妹清)TN3662006021444THz成像探测技术=I maging detection tech… |
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