| 具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性 |
| |
| 引用本文： | 乔明,周贤达,段明伟,方健,张波,李肇基. 具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性[J]. 半导体学报, 2007, 28(9): 1428-1432 |
| |
| 作者姓名： | 乔明 周贤达 段明伟 方健 张波 李肇基 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家军事电子预研基金 |
| |
| 摘 要： | 对600V以上级具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性进行了实验研究,并对器件进行了二维、三维仿真分析.利用多区P-top降场层的结终端扩展作用以及圆形结构曲率效应的影响,增强具有高压互连线的横向高压器件漂移区耗尽,从而降低高压互连线对器件耐压的影响.实验与仿真结果表明,器件的击穿电压随着互连线宽度的减小而增加,并与P-top降场层浓度存在强的依赖关系,三维仿真结果与实验结果较吻合,而二维仿真并不能较好反映具有高压互连线的高压器件击穿特性.在不增加掩模版数、采用额外工艺步骤的条件下,具有30μm高压互连线宽度的多区双RESURF LDMOS击穿电压实验值为640V.所设计的高压互连器件结构可用于电平位移、高压结隔离终端,满足高压领域的电路设计需要.
|
| 关 键 词： | 高压互连线 多区 双RESURF LDMOS 击穿电压 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）09-1428-05 |
| 修稿时间： | 2007-03-19 |
Breakdown Characteristic of Multiregion Double RESURF LDMOS with High Voltage Interconnection |
| |
| Qiao Ming,Zhou Xiand,Duan Mingwei,Fang Jian,Zhang Bo and Li Zhaoji. Breakdown Characteristic of Multiregion Double RESURF LDMOS with High Voltage Interconnection[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(9): 1428-1432 |
| |
| Authors: | Qiao Ming Zhou Xiand Duan Mingwei Fang Jian Zhang Bo Li Zhaoji |
| |
| Affiliation: | State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology,Chengdu 610054,China;State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology,Chengdu 610054,China;State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology,Chengdu 610054,China;State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology,Chengdu 610054,China;State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology,Chengdu 610054,China;State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology,Chengdu 610054,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | HVI multiregion double RESURF LDMOS breakdown voltage |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
