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| 高灵敏度的In_(0.53)Ga_(0.47)As Hall器件 | |
| 作者姓名： | 郑一阳 张进昌 刘衍芳 彭少近 卢文宏 沈桂贤 张颖竹 苏桂祥 贾奎友 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所(郑一阳，张进昌，刘衍芳，彭少近，卢文宏)，河北省宣化七○一厂(沈桂贤，张颖竹，苏桂祥)，河北省宣化七○一厂(贾奎友) |
| 摘 要： | 本文首次报导了用InGaAs材料制备的Hall器件。该器件具有输出灵敏度高(比GaAs高50％),功耗小,欧姆接触好以及在较宽的温区(4K到480K)内工作等特点。在4K温度时,可以工作到80kG以上的强磁场。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |